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FDMC4435BZ全新原装深圳现货

发布时间2023-3-2 11:19:00关键词:FDMC443513Z
摘要

FDMC4435BZ

FDMC443513Z

FDMC4435BZ

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: Power-33-8

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 8.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 53 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.3 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

系列: FDMC4435BZ

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 20 ns

高度: 0.8 mm

长度: 3.3 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 6 ns

3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 34 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

宽度: 3.3 mm

单位重量: 200 mg

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